PVD менен CVD ортосундагы негизги айырма PVDдеги каптоочу материал катуу формада, ал эми CVDде газ түрүндө болот.
PVD жана CVD - ар кандай субстраттарга жука пленкаларды салуу үчүн колдоно турган каптоо ыкмалары. Көп учурларда субстраттарды жабуу маанилүү. Каптоо субстраттын иштешин жакшыртат; субстратка жаңы функцияларды киргизүү, аны зыяндуу тышкы күчтөрдөн коргоо ж.б. ошондуктан булар маанилүү ыкмалар. Эки процесс тең окшош методологияларды бөлүшсө да, PVD жана CVD ортосунда бир аз айырмачылыктар бар; ошондуктан алар ар кандай учурларда пайдалуу.
PVD деген эмне?
PVD - физикалык буу туташтыруу. Бул негизинен буулантуу каптоо техникасы. Бул процесс бир нече кадамдарды камтыйт. Бирок, биз бүт процессти вакуумдук шарттарда жасайбыз. Биринчиден, катуу прекурсордук материал электрондордун нуру менен бомбаланат, ошондуктан ал ошол материалдын атомдорун берет.
01-сүрөт: PVD аппараты
Экинчиден, бул атомдор андан кийин каптоо субстраты бар реакциядагы камерага кирет. Ал жерде, ташуу учурунда атомдор башка газдар менен реакцияга кирип, каптоочу материалды чыгара алышат же атомдор өздөрү каптоочу материал болуп калышы мүмкүн. Акыр-аягы, алар жука пальто кылып субстрат боюнча депозиттер. PVD каптоо сүрүлүүнү азайтууда же заттын кычкылданууга туруктуулугун жогорулатууда же катуулугун жогорулатууда, ж.б. үчүн пайдалуу.
CVD деген эмне?
CVD – химиялык буулардын чөктүрүлүшү. Бул газ фазасынын материалынан катуу катмарды жана жука пленканы түзүү ыкмасы. Бул ыкма PVDге бир аз окшош болсо да, PVD менен CVD ортосунда кандайдыр бир айырмачылык бар. Андан тышкары, ар кандай CVD түрлөрү бар, мисалы, лазердик CVD, фотохимиялык CVD, төмөнкү басымдагы CVD, металл органикалык CVD ж.б.
CVDде биз материалды субстрат материалына каптап жатабыз. Бул каптоо үчүн, биз белгилүү бир температурада буу түрүндө реакция камерасына каптоо материалды жөнөтүү керек. Ал жерде газ субстрат менен реакцияга кирет же ал ыдырап, субстраттын үстүнө түшөт. Ошондуктан, CVD аппаратында газ жеткирүү системасы, реакциялоочу камера, субстрат жүктөө механизми жана энергия менен камсыздоочу болушу керек.
Мындан тышкары реакция реакцияга кирүүчү газдан башка газдар болбошу үчүн вакуумда жүрөт. Андан да маанилүүсү, субстрат температурасы чөкмө аныктоо үчүн абдан маанилүү болуп саналат; ошондуктан бизге аппараттын ичиндеги температураны жана басымды көзөмөлдөөнүн жолу керек.
02-сүрөт: Плазма жардамындагы CVD аппараты
Акыры, аппаратта ашыкча газ калдыктарын чыгаруунун жолу болушу керек. Биз учуучу каптоо материалды тандоо керек. Ошо сыяктуу эле, ал туруктуу болушу керек; анда биз аны газ фазасына айландырып, андан кийин субстраттын үстүнө каптасак болот. SiH4, GeH4, NH3, галогениддер, металл карбонилдери, металл алкилдери жана металл алкоксиддери сыяктуу гидриддер прекурсорлордун айрымдары болуп саналат. CVD техникасы каптамаларды, жарым өткөргүчтөрдү, композиттерди, наномашиналарды, оптикалык булаларды, катализаторлорду ж.б. өндүрүүдө пайдалуу.
PVD жана CVD ортосунда кандай айырма бар?
PVD жана CVD каптоо ыкмалары. PVD физикалык буу катмарын билдирет, ал эми CVD химиялык буулардын катмарын билдирет. PVD менен CVDдин негизги айырмасы PVDдеги каптоочу материал катуу формада, ал эми CVDде газ түрүндө болот. PVD жана CVD ортосундагы дагы бир маанилүү айырма катары, биз PVD техникасында атомдор кыймылдап, субстраттын үстүнө жайгашат деп айта алабыз, ал эми CVD техникасында газ молекулалары субстрат менен реакцияга кирет.
Мындан тышкары, PVD жана CVD ортосунда чөкүү температурасында да айырма бар. Ушул; PVD үчүн салыштырмалуу төмөн температурада (болжол менен 250°C~450°C), ал эми CVD үчүн 450°Cден 1050°Cге чейинки аралыкта салыштырмалуу жогорку температурада сакталат.
Корытынды – PVD жана CVD
PVD физикалык буу коюуну билдирет, ал эми CVD химиялык буу коюуну билдирет. Экөө тең каптоо техникасы. PVD менен CVD ортосундагы негизги айырма PVDдеги каптоочу материал катуу формада, ал эми CVDде газ түрүндө болот.
